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特徴

  • デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

仕様

  • 入数:1リール(3000個入)
  • チャンネルタイプ:N, P
  • 最大連続ドレイン電流:2.1 A、5.2 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:56 mΩ, 168 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:1V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V
  • パッケージタイプ:TSOT-26
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:6
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:1.1 W
  • トランジスタ素材:Si
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:121-9597
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