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研究用総合機器

特徴

  • Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上

仕様

  • 入数:1リール(1000個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:100 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:7.4 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:3.5V
  • 最低ゲートしきい値電圧:2V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:3
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:214 W
  • 動作温度 Min:-55 °C
  • RoHS適合状況:対象外
  • コード番号:124-8768
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